可控硅输出型光耦

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制造商
描述
关键参数
HSCR-0223D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0223P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1223D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1223P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2223D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2223P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3223D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3223P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0213D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0213P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1213D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1213P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2213D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2213P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3213D
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数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3213P
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数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HPC3022-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3022-3
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3023-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3052-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3052-3
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3053-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3053-3
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3062-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3062-3
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3063-2
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3063-3
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双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms